近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ。该平台通过专利技术和工艺完善，实现了领先国际同类产品的比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ.cm，如图1所示，进一步实现高电流处理能力和更小损耗，帮助新能源汽车电机驱动器进一步释放SiC高功率密度及高能量转化效率潜力，提高续航里程。

图1 清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化

    该产品额定电压为1.2 kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。图2分别给出了该芯片在常温及高温的输出特性曲线，体现了优良的导通电阻温度特性。在等效的芯片面积下，与上一代技术相比导通损耗降低约20%，能够以更高的效率、更小的封装和更高的可靠性实现应用设计。值得指出的是，和传统芯片迭代技术方式不同，该芯片在降低导通电阻的同时保持了与前两代相近的优良短路耐受特性。